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文章总数：33
最近更新：2007-04-22 09:59
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2006-12-07 17:02:20 |
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2006-09-20 15:36:07 |
| 第23卷 第1期2003 年2 月 固体电子学研究与进展RESEARCH & PRO GRESS O F SSE Vo l. 23,No. 1Feb. , 2003
冯耀兰 杨国勇 张海鹏(东南大学微电子中心, 南京, 210096)2001208227 收稿, 2001212224 收改稿摘要: 研究了薄膜全耗尽增强型SO IMO S 器件阈值电压的解析模型, 并采用计算机模拟, 得出了硅膜掺杂浓度和厚度、 |
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2006-09-20 15:33:38 |
| 第23卷 第1期2003 年2 月 固体电子学研究与进展RESEARCH & PRO GRESS O F SSE Vo l. 23,No. 1 Feb. , 2003
张海鹏 魏同立 宋安飞(东南大学微电子中心, 南京, 210096)2001203219 收稿, 2001209210 收改稿摘要: 从薄膜积累型(TF AM ) SO I PMO SFET 的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发, 对 |
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2006-09-20 15:31:17 |
| 第21卷 第3期2001 年8 月 固体电子学研究与进展RESEARCH & PRO GRESS O F SSE Vo l. 21,No. 3A ug. , 2001
冯耀兰 魏同立 张海鹏 宋安飞 罗 岚 (东南大学微电子中心, 南京, 210096)20000825 收稿, 20010104 收改稿摘要: 在对体硅CMO S 倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMO S 倒 |
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2006-09-20 15:29:37 |
| 第22 卷第10 期半 导 体 学 报Vo l. 22,No. 10 2001 年10 月CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTORS O ct. , 2001
张海鹏 魏同立 冯耀兰 姚 炜 宋安飞(东南大学微电子中心, 南京 210096)摘要: 报道了一个部分耗尽(PD) SO INMO SFET 翘曲效应的温度解析模型. 该模型从PD SO INMO SFET 器件的物理结构, 即由顶部的NMO SF |
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2006-09-20 11:59:48 |
| 第23 卷第1 期2000 年3 月 电 子 器 件Journal of Electron Devices Vol. 23,No. 1M arch. 2000
宋安飞 张海鹏(南京东南大学微电子中心 南京 210096) 摘要 在讨论薄膜SO IMOSFET 高温性能和高温应用优越性的基础上, 以高温应用为目标, 对适用于高温SO ICMOS 倒相器的三种MOSFET 组合结构进行了比较分析, 最终确定了高温SO |
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2006-09-20 11:56:01 |
| 张海鹏 宋安飞 杨国勇 冯耀兰 魏同立(东南大学微电子中心, 南京, 210096)19990806 收稿, 19991129 收改稿摘要: 提出了一种新结构薄膜SO IL IGBT —— 漂移区减薄的多沟道薄膜SO IL IGBT (DRT2MC TFSO IL IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423～ 573 K 范围的温度特性。指出, 通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流, 很高的截止 |
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2006-09-20 11:54:09 |
| 第29 卷第6 期1999 年11 月 东 南 大 学 学 报JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY Vol129 No16Nov. 1999 宽温区体硅MOST 阈值电压温度特性的研究X张海鹏 魏同立 冯耀兰(东南大学微电子中心,南京210096)摘 要 本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上,详细探讨了宽温区体硅NMOST阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温度特性的影响,提出了29 |
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2006-09-20 11:48:36 |
| 要集中精力做好紧急的工作，千万不能散漫拖延。
还要放眼规划好即将开展的工作...... |
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2006-09-20 11:41:04 |
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